中科院微电子研究所取得极紫外光刻基板缺陷补偿方面重大进展

近日，中国科学院微电子研究所在研究员韦亚一课题组与北京理工大学教授马旭课题组共同合作努力下，在极紫外光刻基板缺陷补偿方面的获得了进展。

在这次的合作中，由他们提出的一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法，能有效地抑制之前存在的EUV光刻基板缺陷问题。

尽管在浸没式光刻技术的技术节点上，基板制造和掩模制造已足够成熟，并且掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的范围之内。但是极紫外(EUV)光刻基板仍存在缺陷，这是因为反射率及掩模阴影效应的限制，影响光刻成像质量，进而导致良率损失。

据他们的介绍，该优化算法采用基于图形边缘误差与光刻图像归一化对数斜率为基础的评价函数，采用自适应编码和逐次逼近的修正策略，获得了更高的修正效率和补偿精度。

经过一系列的评估与测试之下，结果表明该方法能有效地抑制之前存在的极紫外光刻基板缺陷问题，能够起到掩模基板缺陷的影响，提高光刻成像结果的保真度，并且具有较高的收敛效率和掩模可制造性。