AMD Zen3 3D堆栈技术细节,游戏性能可提升15%

近日，AMD公司在第32界Hotchips会议演示中，展示了关于Zen3的3D堆栈缓存技术更多的细节部分。官方称，这项技术将会使游戏获得15%的性能提升。除此之外还对于3D堆栈技术的未来进行了简要概括。

AMD表示他们选择了9微米的微凸点 间距，这比未来 10 微米的英特尔 Foveros Direct 技术要密集一些。

随着垂直晶圆间或芯片间连接的TSV键合量的增加，该技术将专注于更复杂的3D堆叠设计。其发展的方向是将独立的模块放在各自的模块上。

在这一次的演示中AMD公司还分别列出了所有的堆叠技术，其中就包括了英特尔的fooveros /EMIB技术。

预计其3D芯片堆叠技术将提供三倍的互连能效以及十五倍的互连密度。有行内人士认为，这意味着AMD将会考虑在其处理器中使用这种技术。

另外，AMD公司还宣布了关于旗下新一代AMD Zen3 CPU的3D 芯片组计划，称该芯片组也会采用芯到芯TSV。