英飞凌:SiC,GaN等材料进入量产,其功率元件成本未来会降低

据科技网消息，德国英飞凌半导体厂商公司的氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等新材料产品目前已经进入量产的阶段，未来这类功率芯片的制造将会从主流的六英寸厂转移到八英寸晶圆厂生产，这也是目前国际大厂共同看好的趋势。

近年来由于电子类产品的飞速发展，GaN氮化镓芯片得到越来越广的应用，相关制造技术也在快速推进中。有关人士表示，碳化硅、氮化镓相关宽能隙功率元件价格已经出现很大的降幅，但其成本问题仍是打开市场的关键所在。

他们预期，在经济规模、产能投资、良率控制等推进下，氮化镓与碳化硅的成本有望在三到五年的时间里降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技术也持续推进。

截止目前为止，SiC、GaN这两类芯片的价格相差并不大，但是如果同Si(硅)产品对比的话，这三者之间的成本差距仍是存在，而且对比来看目前成本还是比较高昂的。

据悉，英飞凌在此前就率先使用了12英寸晶圆工厂生产硅基功率元件，由于碳化硅功率元件已经问世这么多年了，如今仍处于主流地位的6英寸也会在未来逐步转变成使用8英寸厂生产。