预计明年DRAM市场供求关系转至供过于求

11月4日周四，据市场研究机构集邦科技尽今日提供的报告显示，由于目前客户库存的水位偏高，加上明年的需求位元增长率只有17.1%，这导致DRAM产业将由供不应求变为供过于求。

行业人士透露，DRAM价格进入下行周期，前期因半导体短缺情况，导致客户累积了较多的库存，他们需要先消耗自己的库存，所以购买积极性不高。对此，三星及SK海力士将启动出货控制计划保守增加DRAM供应量。

尽管DRAM价格将因供过于求的问题出现下滑现象，整体DRAM的产值并不会出现大幅跌滑的现象，预估在明年时候DRAM的总产值将超过九百一十五亿美元，年增微幅上升0.3%。

关于NAND-Flash存储器方面，未来供应商仍将持续追求推进更高层数，以降低每GB的生产成本，因此预期该产业的资本支出仍有增长空间。

此外，报告预计明年下半年起，受益于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，DRAM均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。